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IPB80N03S4L02ATMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO263-3-2
数量：
 6498  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
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IPB80N03S4L02ATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：136W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9750 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：140 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 90μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 80A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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