HGT1S20N60C3S9A

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：45 A
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：164 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流：45 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：1.4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

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