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HGT1S3N60A4DS

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB-3
数量：
 2349  
说明：
 IGBT 晶体管 TO-263
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HGT1S3N60A4DS-TO-263AB-3图片

HGT1S3N60A4DS PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：17 A
封装形式：TO-263AB-3
最大工作温度：+ 150 C
在25 C的连续集电极电流：17 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S3N60A4DS的详细信息，包括HGT1S3N60A4DS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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