首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > GT10Q101(Q)

GT10Q101(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3P
数量：
 954  
说明：
 IGBT 晶体管 1200V/10A DIS
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

GT10Q101(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：10 A
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Toshiba

以上是GT10Q101(Q)的详细信息，包括GT10Q101(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

IGBT 晶体管最新产品：

  • IXXH60N65B4
  • IKFW75N60ETXKSA1
  • IXYH30N65C3H1
  • IXYH30N65B3D1
  • APT44GA60B
  • APT70GR65B
  • IXXA50N60B3
  • IXXP50N60B3
  • IXYA30N120A4HV
  • IXYH50N65C3D1

    • 相近型号推荐

    • GT-11图片

      GT-11

      测试探头 NON-CONTACT VOLTAGE DETECTOR

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC