FZ2000R33HE4BOSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: AG-IHVB190-3
数量：: 5806
说明：: IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

一、本商品被浏览0次.

FZ2000R33HE4BOSA1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 热敏电阻：无
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：280 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止（最大值）：5 mA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，2kA（标准）
功率 - 最大值：4.2 mW
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2000 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：3300 V
配置：单开关
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：IHM-B
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

以上是FZ2000R33HE4BOSA1的详细信息，包括FZ2000R33HE4BOSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：