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FSEZ1216BNY

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 DIP-8
数量：
 603  
说明：
 MOSFET Prim Side Contr PWM Contr w/Power MOSFET
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FSEZ1216BNY-DIP-8图片

FSEZ1216BNY PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：59
功率耗散：800 mW
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Tube
封装形式：DIP-8
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 105 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.3 Ohms
漏极连续电流：1 A
汲极/源极击穿电压：600 V
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FSEZ1216BNY的详细信息，包括FSEZ1216BNY厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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