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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:13 ns
工厂包装数量:59
功率耗散:800 mW
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tube
封装形式:DIP-8
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 105 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):9.3 Ohms
漏极连续电流:1 A
汲极/源极击穿电压:600 V
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
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