FSB649_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SSOT-3
数量:
 3006  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation
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FSB649_Q PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:0.5 W
集电极连续电流:3 A
封装形式:SSOT-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:70 at 50 mA at 2 V
最大直流电集电极电流:3 A
集电极—射极饱和电压:25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
集电极—基极电压 VCBO:35 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FSB649_Q的详细信息,包括FSB649_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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