FSB660A_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SSOT-3
数量:
 3024  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
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FSB660A_Q PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:0.5 W
集电极连续电流:2 A
封装形式:SSOT-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:70 at 100 mA at 2 V
增益带宽产品fT:75 MHz
最大直流电集电极电流:2 A
集电极—射极饱和电压:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FSB660A_Q的详细信息,包括FSB660A_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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