FQPF9N90CT

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3 整包
数量：: 4372
说明：: MOSFET 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series

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FQPF9N90CT PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：100 ns
工厂包装数量：50
上升时间：120 ns
功率耗散：68 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：75 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220F
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.4 Ohms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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