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FQS4900TF

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 3492
说明：: MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET

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FQS4900TF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：11 ns, 35 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：21 ns, 25 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1.7 S, 0.6 S
下降时间：17 ns, 47 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.39, 11.2 Ohms
漏极连续电流：1.3 A, - 0.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+ 60 V / - 300 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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