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FQP8P10

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 4184
说明：: MOSFET 100V P-Channel QFET

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FQP8P10 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：50
上升时间：110 ns
功率耗散：65 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4.3 S
下降时间：35 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.53 Ohms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：- 100 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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