首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FQP9N50

FQP9N50

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 1719  
说明：
 MOSFET 500V N-Channel QFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FQP9N50-TO-220-3图片

FQP9N50 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FQP9N50_NL
典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：50
上升时间：95 ns
功率耗散：147 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：8.2 S
下降时间：60 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.73 Ohms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQP9N50的详细信息，包括FQP9N50厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • NVMFS6D1N08HT1G
  • STP9N80K5
  • NVMFS5C460NT1G
  • NVTFS004N04CTAG
  • TSM250NB06CV RGG
  • TSM110NB04LCV RGG
  • TSM250NB06LCV RGG
  • STL8N6LF6AG
  • TK34A10N1,S4X
  • AOD7S65

    • 相近型号推荐

    • FQP9N50C图片

      FQP9N50C

      MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

    • FQP9N90C图片

      FQP9N90C

      MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC