首页 > 电子元件分类 > 电源 > 电源管理 IC > 开关变换器、稳压器与控制器 > FQP8N60C

FQP8N60C

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 2548  
说明：
 MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FQP8N60C-TO-220-3图片

FQP8N60C PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FQP8N60C_NL
典型关闭延迟时间：81 ns
工厂包装数量：50
上升时间：60.5 ns
功率耗散：147 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：8.7 S
下降时间：64.5 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.2 Ohms
漏极连续电流：7.5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQP8N60C的详细信息，包括FQP8N60C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器   低压差控制器 - LDO   反馈回路功率控制器   功率因数校正 IC   电压模式 PWM 控制器  

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：

  • RP401N381C-TR-FE
  • RP401N341C-TR-FE
  • RP401N331D-TR-FE
  • RP401N331C-TR-FE
  • RP401N321C-TR-FE
  • RP401N301C-TR-FE
  • RP401N271C-TR-FE
  • RP401N181D-TR-FE
  • RP401N181C-TR-FE
  • RP401N001C-TR-FE

    • 相近型号推荐

    • FQP8N80C图片

      FQP8N80C

      MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

    • FQP8N90C图片

      FQP8N90C

      MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

    • FQP9N08L图片

      FQP9N08L

      MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC