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FQI9N08LTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I2PAK
数量：: 135
说明：: MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level

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FQI9N08LTU PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：50
上升时间：180 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：30 ns
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.21 Ohms
漏极连续电流：9.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI9N08LTU的详细信息，包括FQI9N08LTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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