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FQI9P25TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I2PAK
数量：: 2700
说明：: MOSFET

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FQI9P25TU PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
上升时间：150 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：65 ns
包装形式：Rail
封装形式：I2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.62 Ohms
漏极连续电流：9.4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：- 250 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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