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FQI8P10TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: I2PAK
数量：: 126
说明：: MOSFET P-CH/100V/8A/0.53OHM

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FQI8P10TU PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：50
上升时间：110 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.53 Ohms
漏极连续电流：- 8 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：- 100 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI8P10TU的详细信息，包括FQI8P10TU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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