FGD3N60LSDTM-T

厂家：: onsemi
封装：: TO-252AA
数量：: 2628
说明：: INTEGRATED CIRCUIT

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FGD3N60LSDTM-T PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：234 ns
测试条件：480V，3A，470 欧姆，10V
25°C 时 Td（开/关）值：40ns/600ns
栅极电荷：12.5 nC
输入类型：标准
开关能量：250μJ（开），1mJ（关）
功率 - 最大值：40 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 10V，3A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：25 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：-
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

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