FF50R12RT4HOSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 模块
数量：: 5352
说明：: IGBT MOD 1200V 50A 285W

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FF50R12RT4HOSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 热敏电阻：无
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：2.8 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，50A
功率 - 最大值：285 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
配置：半桥
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

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