FF450R17ME3

厂家：: Infineon Technologies
封装：: Econo D
数量：: 3150
说明：: IGBT 模块 N-CH 1.7KV 605A

一、本商品被浏览0次.

FF450R17ME3 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：12
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：Econo D
最大工作温度：+ 125 C
在25 C的连续集电极电流：605 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V
配置：Dual
产品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是FF450R17ME3的详细信息，包括FF450R17ME3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器