FF150R12MS4G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 Econo D
数量:
 2259  
说明:
 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A
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FF150R12MS4G PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:12
安装风格:Screw
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
封装形式:Econo D
最大工作温度:+ 125 C
在25 C的连续集电极电流:225 A
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Dual
产品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon

以上是FF150R12MS4G的详细信息,包括FF150R12MS4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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