首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FDS6900S

FDS6900S

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SO-8
数量：
 7623  
说明：
 MOSFET Dual NCh PowerTrench
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

FDS6900S PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：FDS6900S_NL
典型关闭延迟时间：26 ns at Q1, 29 ns at Q2
工厂包装数量：2500
上升时间：5 ns at Q1, 14 ns at Q2
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：5 ns at Q1, 14 ns at Q2
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
漏极连续电流：6.9 A
闸/源击穿电压：10 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS6900S的详细信息，包括FDS6900S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • TSM250NB06LCV RGG
  • STL8N6LF6AG
  • TK34A10N1,S4X
  • AOD7S65
  • TK33S10N1Z,LQ
  • IPD80R1K2P7ATMA1
  • TPH1R204PL,L1Q
  • NVTFS9D6P04M8LTAG
  • AOWF190A60C
  • AOW190A60C

    • 相近型号推荐

    • FDS6910图片

      FDS6910

      MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET

    • FDS6930B图片

      FDS6930B

      MOSFET SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC