首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FDS6912A_Q

FDS6912A_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 7371  
说明：
 MOSFET Dual N-Channel 30V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FDS6912A_Q-SOIC-8 Narrow图片

FDS6912A_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns
上升时间：5 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS6912A_Q的详细信息，包括FDS6912A_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • TSM250NB06LCV RGG
  • STL8N6LF6AG
  • TK34A10N1,S4X
  • AOD7S65
  • TK33S10N1Z,LQ
  • IPD80R1K2P7ATMA1
  • TPH1R204PL,L1Q
  • NVTFS9D6P04M8LTAG
  • AOWF190A60C
  • AOW190A60C

    • 相近型号推荐

    • FDS6930B图片

      FDS6930B

      MOSFET SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC