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FDD6N20TF

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 7092  
说明：
 MOSFET 200V N-CH MOSFET
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FDD6N20TF-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD6N20TF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：2000
上升时间：5.6 ns
功率耗散：40 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.8 Ohms
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD6N20TF的详细信息，包括FDD6N20TF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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