FDD6N50FTM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 8477  
说明:
 MOSFET 500V N-Channel
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FDD6N50FTM PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:33.4 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:28.3 ns
功率耗散:89 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:20.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.15 Ohms
漏极连续电流:5.5 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDD6N50FTM的详细信息,包括FDD6N50FTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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