FDC6401N

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SuperSOT?-6
数量:
 5175  
说明:
 MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FDC6401N-SuperSOT?-6图片

FDC6401N PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:FDC6401N_NL
典型关闭延迟时间:13 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:7 ns
功率耗散:0.96 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降时间:7 ns
包装形式:Reel
封装形式:SSOT-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.07 Ohms
漏极连续电流:3 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC6401N的详细信息,包括FDC6401N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC