FDC640P_F095

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SuperSOT?-6
数量:
 5229  
说明:
 MOSFET 2.5V P-CH POWERTRENCH
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FDC640P_F095 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:24 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:9 ns
功率耗散:1600 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:9 ns
包装形式:Reel
封装形式:SuperSOT-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):53 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:4.5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC640P_F095的详细信息,包括FDC640P_F095厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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