首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FDC6306P_D87Z

FDC6306P_D87Z

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SuperSOT-6
数量：
 4410  
说明：
 MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

FDC6306P_D87Z PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：14 ns
上升时间：9 ns
功率耗散：960 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：SuperSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：170 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：1.9 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6306P_D87Z的详细信息，包括FDC6306P_D87Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3
  • SIHU6N80AE-GE3
  • IPU95R2K0P7AKMA1

    • 相近型号推荐

    • FDC6310P图片

      FDC6310P

      MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC