FDC6308P

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SuperSOT-6
数量:
 4428  
说明:
 MOSFET DISC BY MFG 2/02
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FDC6308P PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:14 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:9 ns
功率耗散:960 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:9 ns
包装形式:Reel
封装形式:SuperSOT-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):180 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:1.7 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

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