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FDB039N06

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 2601  
说明：
 MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm
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FDB039N06-D2PAK（TO-263）图片

FDB039N06 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：800
上升时间：40 ns
功率耗散：231 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：169 S
下降时间：24 ns
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.95 m Ohms at 10 V
漏极连续电流：174 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB039N06的详细信息，包括FDB039N06厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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