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FDB029N06

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 2520
说明：: MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

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FDB029N06-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

FDB029N06 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：54 ns
工厂包装数量：800
上升时间：178 ns
功率耗散：231 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：154 S
下降时间：33 ns
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.4 m Ohms at 10 V
漏极连续电流：193 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB029N06的详细信息，包括FDB029N06厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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