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FD200R12KE3HOSA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 模块
数量：
 7209  
说明：
 IGBT MODULE 1200V 1050W
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FD200R12KE3HOSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 125°C
NTC 热敏电阻：无
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：14 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止（最大值）：5 mA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A
功率 - 最大值：1050 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
配置：单斩波器
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：C
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

以上是FD200R12KE3HOSA1的详细信息，包括FD200R12KE3HOSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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