FCP190N60

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220-3
数量:
 1854  
说明:
 MOSFET 600V N-Channel MOSFET SuperFET II
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FCP190N60 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:400
功率耗散:208 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):199 mOhms
漏极连续电流:20.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FCP190N60的详细信息,包括FCP190N60厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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