FCP190N60E

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 3363
说明：: MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

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FCP190N60E PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：101 ns
工厂包装数量：400
上升时间：14 ns
功率耗散：208 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：63 nC
下降时间：15 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：190 mOhms
漏极连续电流：20.6 A
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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