
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:20 V
封装形式:Module
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:150 W
栅极—射极漏泄电流:400 nA
在25 C的连续集电极电流:45 A
集电极—射极饱和电压:1.55 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:3-Phase
产品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon
以上是F3L30R06W1E3_B11的详细信息,包括F3L30R06W1E3_B11厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!