DMG1016V-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: SOT-563
数量：: 98815
说明：: MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

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DMG1016V-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26.7 nS, 28.4 nS
上升时间：7.4 nS, 8.1 nS
功率耗散：530 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：736.6 pC, 622.4 pC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1.4 S, - 0.9 S
下降时间：12.3 ns, 20.7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-563-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms at 4.5 V, 0.5 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流：870 mA, - 640 mA
闸/源击穿电压：+/- 6 V
汲极/源极击穿电压：20 V, - 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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