DMG1026UV-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: SOT-563
数量：: 4896
说明：: MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26.4 ns
上升时间：3.4 ns
功率耗散：0.58 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：0.45 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：580 mS
下降时间：16.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO563-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 Ohms
漏极连续电流：0.44 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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