首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > DGTD120T25S1PT

DGTD120T25S1PT

厂家：
  Diodes Incorporated
封装：
 TO-247
数量：
 1161  
说明：
 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
DGTD120T25S1PT-TO-247图片

DGTD120T25S1PT PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：100 ns
测试条件：600V，25A，23 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：73ns/269ns
栅极电荷：204 nC
输入类型：标准
开关能量：1.44mJ（开），550μJ（关）
功率 - 最大值：348 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，25A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
IGBT 类型：场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Diodes Incorporated

以上是DGTD120T25S1PT的详细信息，包括DGTD120T25S1PT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

IGBT 晶体管最新产品：

  • APT44GA60B
  • APT70GR65B
  • IXXA50N60B3
  • IXXP50N60B3
  • IXYA30N120A4HV
  • IXYH50N65C3D1
  • SKW30N60FKSA1
  • APT44GA60BD30
  • MIW40N120F-BP
  • IXXH60N65C4

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      DH/3 STK W/T

      NiCd - 镍镉电池 3.6V 4000mah BATT PK 3dh CELLS IN STK W/T

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC