CXDM4060N TR

厂家:
  Central Semiconductor
封装:
 SOT-89
数量:
 522  
说明:
 MOSFET SMD Small Sig Mosfet NCh Enh Mode Hi Crnt
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CXDM4060N TR PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:1.2 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:12 nC
包装形式:Reel
封装形式:SOT-89
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):45 mOhms
漏极连续电流:6 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor

以上是CXDM4060N TR的详细信息,包括CXDM4060N TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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