CXDM3069N TR

厂家：: Central Semiconductor
封装：: SOT-89
数量：: 513
说明：: MOSFET SMD Small Sig Mosfet N-Ch Enh Mode

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CXDM3069N TR PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1.2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：11 nC
包装形式：Reel
封装形式：SOT-89
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：50 mOhms
漏极连续电流：6.9 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

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