CSD13306WT

厂家：: Texas Instruments
封装：: 6-DSBGA（1x1.5）
数量：: 4905
说明：: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 6 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.2 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10.2m? @ 1.5A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：12 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：NexFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Texas Instruments

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