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中文参数如下：
晶体管极性：NPN
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 200 C
包装形式：Tray
功率耗散：233 W
最大直流电集电极电流：20 A
集电极连续电流：10 A
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：55 V
最大工作频率：28 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min：15
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
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