BLW50F

厂家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装:
 SOT-123
数量:
 2080  
说明:
 射频双极电源晶体管 RF Transistor
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BLW50F PDF参数资料

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中文参数如下:

晶体管极性:NPN
安装风格:Screw
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 200 C
包装形式:Tray
封装形式:SOT-123
功率耗散:87 W
最大直流电集电极电流:7.5 A
集电极连续电流:3.25 A
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:55 V
最大工作频率:30 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:19
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

以上是BLW50F的详细信息,包括BLW50F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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