BLS6G2731-6G

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT975C
数量:
 8118  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

BLS6G2731-6G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

电阻汲极/源极 RDS(导通):1.26 Ohms
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Bulk
封装形式:SOT975C
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:13 V
漏极连续电流:3.5 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:NXP

以上是BLS6G2731-6G的详细信息,包括BLS6G2731-6G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC