首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BLS6G2731-120,112

BLS6G2731-120,112

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 SOT502A
数量：
 7212  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BLS6G2731-120,112-SOT502A图片

BLS6G2731-120,112 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装：SOT502A
封装/外壳：SOT-502A
安装类型：底座安装
电压 - 额定：60 V
功率 - 输出：120W
电流 - 测试：100 mA
噪声系数：-
额定电流（安培）：33A
电压 - 测试：32 V
增益：13.5dB
频率：2.7GHz ~ 3.1GHz
配置：-
技术：LDMOS
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：托盘
品牌：Ampleon USA Inc.

以上是BLS6G2731-120,112的详细信息，包括BLS6G2731-120,112厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • SIHP14N50D-GE3
  • TK16V60W,LVQ
  • NVTFS4C10NWFTAG
  • IAUZ30N10S5L240ATMA1
  • BSC252N10NSFGATMA1
  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      BLS6G2731-6G

      射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC