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BLF7G15L-300P,112

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 SOT-539A
数量：
 6165  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor
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BLF7G15L-300P,112-SOT-539A图片

BLF7G15L-300P,112 PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tube
封装形式：SOT-539A
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：45 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：85 W
增益：18 dB
频率：1.45 GHz to 1.55 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
制造商：NXP

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