BG 3123R E6327

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 SOT-363
数量:
 7038  
说明:
 射频MOSFET小信号晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
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BG 3123R E6327 PDF参数资料

中文参数如下:

零件号别名:BG3123RE6327XT
工厂包装数量:12000
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:200 mW
漏极连续电流:0.025 A
闸/源击穿电压:6 V
汲极/源极击穿电压:8 V
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET小信号晶体管
制造商:Infineon

以上是BG 3123R E6327的详细信息,包括BG 3123R E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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