BD37525STU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-126
数量：: 972
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

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BD37525STU PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：60
包装形式：Tube
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：25 W
直流电流增益 hFE 最大值：375
集电极连续电流：2 A
封装形式：TO-126
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
最大直流电集电极电流：2 A
集电极—射极饱和电压：45 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
集电极—基极电压 VCBO：50 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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