首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > BD37610STU

BD37610STU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-126
数量：: 990
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

一、本商品被浏览0次.

BD37610STU PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：60
包装形式：Tube
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：25 W
直流电流增益 hFE 最大值：375
集电极连续电流：- 2 A
封装形式：TO-126
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
最大直流电集电极电流：2 A
集电极—射极饱和电压：- 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 45 V
集电极—基极电压 VCBO：- 50 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BD37610STU的详细信息，包括BD37610STU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：