APTM100H46FT3G

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 1788
说明：: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

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APTM100H46FT3G PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：SP3
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：357W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6800pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：260nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：552 毫欧 @ 16A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A
漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）
FET 功能：-
配置：4 N 沟道（半桥）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：POWER MOS 8?
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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